Charakterizace tenkých oxidových vrstev

Patrik Hlavatý

Characterization of the Thin Oxide Layers

Type of document

diplomová práce
master thesis

Author

Patrik Hlavatý

Supervisor

Voves Jan

Opponent

Hospodková Alice

Field of study

Elektronika

Study program

Elektronika a komunikace

Institutions assigning rank

katedra mikroelektroniky

Rights

A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html
Vysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html

Metadata

Show full item record

Abstract

Cílem práce je předložit teoretické poznatky o růstu a charakterizaci tenkých vrstev, zejména oxidů kovů a polokovů, včetně jejich aplikací v elektronice. Součástí teoretické části je porovnání různých metod růstu s detailnějším popisem metody ALD. Dále jsou popsány vybrané metody charakterizace tenkých vrstev. V experimentální části bude popsán proces růstu tenkých vrstev ZnO a měření některých jeho vlastností. Praktické poznatky, které práce přináší by mohly v budoucnu posloužit při růstu ZnO pro konkrétní aplikace.

The aim of this work is to present theoretical knowledge on the growth and characterization of thin films, especially metal oxides and semimetals, including their applications in electronics. The theoretical part includes a comparison of different growth methods with a more detailed description of the ALD method. Selected methods for thin film characterization are also described. The experimental part will describe the growth process of ZnO thin films and measurements of some of its properties. The practical knowledge provided by the work could serve in the future growth of ZnO for specific applications.