• Inteligentní budič SiC tranzistorů 

      Autor: Jiří Hodný; Vedoucí práce: Novotný David; Oponent práce: Tichý Jiří
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2021-08-24)
      Diplomová práce řeší rozdílná specifika buzení tranzistoru SiC MOSFET a IGBT a z toho plynoucí požadavky na budící obvody. Dále je popsána funkce konvenčního budiče a nalezeno jeho optimální nastavení. Hlavním cílem práce ...