Prohlížení Diplomové práce - 13134 dle předmětu "SiC"
Zobrazují se záznamy 1-4 z 4
-
Aplikace MOSFET tranzistorů na bázi SiC v průmyslových napájecích zdrojích
; Vedoucí práce: Janíček Vladimír; Oponent práce: Smutka Jiří
(České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2020-01-30)Záměr této diplomové práce je analýza, simulace, porovnání a diskuze aplikace tranzistorů MOSFET na bázi karbidu křemíku v průmyslových zdrojích. Pozornost je věnována řízení SiC MOSFETů standartními kontroléry. Celá ... -
Generování vysokonapěťových pulzů pro testování CMTI
; Vedoucí práce: Záhlava Vít; Oponent práce: Jeřábek Jan
(České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2022-08-25)Cílem této práce je navrhnutí systému, který bude generovat napěťové pulzy s variabilní rychlostí přeběhu. Ten bude použit k ověření vlastností izolovaných analogově-digitálních převodníků. Tento systém bude sloužit k ... -
Návrh řízení motoru e-kompresoru pro použití v automobilovém průmyslu.
; Vedoucí práce: Záhlava Vít; Oponent práce: Jung Václav
(České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2023-06-22)Tato práce představuje studii o návrhu a implementaci prototypu vysokonapěťového měniče pro e-kompresory elektrických vozidel (EV), s důrazem na pokročilou výkonovou elektroniku, řídící algoritmy a robustní hardwarový ... -
Spínaný zdroj pro vysoké výstupní proudy
; Vedoucí práce: Hospodka Jiří; Oponent práce: Smutka Jiří
(České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2020-06-18)Tato diplomová práce se zabývá problematikou spínaných zdrojů (SMPS) pro vysoké výstupní proudy vhodné pro svářecí techniku. Cílem této práce je navrhnout, postavit a změřit SMPS předem zvolené topologie s použitím SiC ...