• Budící obvody pro SiC tranzistory s nadproudovou ochranou 

      Autor: Roman Mrzena; Vedoucí práce: Lev Miroslav; Oponent práce: Richter Michal
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2020-01-23)
      Práce se zabývá návrhem zkratové ochrany s Rogowského cívkou pro tranzistory SiC MOSFET. V úvodu jsou popsány tranzistory na bázi karbidu křemíku a jejich porovnání s klasickými křemíkovými. Následuje přehled základních ...