Nové modely vysokonapěťových křemíkových součástek pro radiové frekvence

Abstract

Tato dizertační práce je zaměřena na modelování vysokonapěťových součástek tvořených velmi nízko dotovanými vrstvami. Takovéto součástky se vyznačují vlastnostmi, které ve standardních kompaktních SPICE modelech nejsou obsaženy. Hlavní výsledek této práce je model vysokonapěťového dvouhradlového JFETu obsahujícího jevy jako napěťově závislý pinch-off, nárazová ionizace, zpětné zotavení, vysokofrekvenční jevy nebo bi-modální statistické rozdělení simulovaných parametrů.This thesis is focused on the modeling of high-voltage components built from low doped layers and therefore containing effects not covered by standard compact SPICE models. The main result of this work is a model of high-voltage dual-gate JFET covering effects like voltage dependent pinch-off, impact ionization, reverse recovery, high frequency effects or bi-modal statistical distribution of simulated parameters