Simulace růstu tenkých vrstev vysokoentropických slitin pomocí metod molekulární dynamiky

Abstract

Tato práce se zabývá simulací depozice tenkých vrstev pomocí metod molekulární dynamiky. Přiblížení tohoto procesu může vést k značnému zjednodušení přípravy reálných experimentů. Cílem práce bylo vytvoření obecnějšího skriptu v programu LAMMPS, který by mohl postihnout parametry charakteristické pro metodu Ionized Jet Deposition. Funkčnost skriptu je ověřena na vysokoentropické slitině FeNiCoCuCrAl, která je deponována ve dvou stechiometriích Al2Co9Cr32Cu39Fe12Ni6 a ekviatomární stechiometrii. Výsledky jsou diskutovány v závislosti na volbě dostupných potenciálů a byly porovnány s dostupnými daty z reálných či simulovaných experimentů.The purpose of this work is to use the principles of the molecular dynamic in oder to approach a process of a thin layer deposition. The approximation of this process can lead to significant simplification of the real experiment preparation. The aim of this work is to write a general code in LAMMPS programming language that could capture the parameter characteristics for the Ionized Jet Deposition method. This general code is applied to high entropy alloy FeNiCoCuCrAl, which is simulated in two stoichiometries Al2Co9Cr32Cu39Fe12Ni6 and equiatomic stoichiometrie. The results were discussed depending on the choice of available potentials and were compared to available data.