Design of a HW Platform for Testing Electronic Components for Radiation Resistance
Návrh HW platformy pro test elektronických komponent na radiační odolnost
Authors
Supervisors
Reviewers
Editors
Other contributors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
České vysoké učení technické v Praze
Czech Technical University in Prague
Czech Technical University in Prague
Date
Abstract
Bakalářská práce se zabývá návrhem HW modulární platformy pro test elektronických komponent na radiační odolnost. V práci je popsán samotný návrh HW platformy, FW pro mikrokontrolér a nakonec funkčnost aplikace pro počítač ovládající a vykreslující průběh měření. Platforma umožňuje testovat elektronické součástky komunikující pomocí SPI a I2C. Přenos dat mezi PC a platformou je zajištěn použitím ethernetu. Nakonec jsou v práci uvedeny výsledky měření radiační odolnosti F-RAM paměti na události způsobené ionizujícím záření (tzv. single event effects).
This bachelor’s thesis describes desing of a HW modular platform for testing the radiation resistance of electronic components. The thesis describes the design of the HW platform, the firmware for the microcontroller and the functionality of the computer application that controls meassurement and plots meassurement graphs. The platform allows testing electronic components that comunicate via SPI and I2C. The microcontroller comunicates with the PC via Ethernet. Finally, the thesis presents results of testing radiation resistance of F-RAM memory for single event effect.
This bachelor’s thesis describes desing of a HW modular platform for testing the radiation resistance of electronic components. The thesis describes the design of the HW platform, the firmware for the microcontroller and the functionality of the computer application that controls meassurement and plots meassurement graphs. The platform allows testing electronic components that comunicate via SPI and I2C. The microcontroller comunicates with the PC via Ethernet. Finally, the thesis presents results of testing radiation resistance of F-RAM memory for single event effect.