Návrh systému pro testování spolehlivosti pamětí typu FLASH

Abstract

Flash paměť je typem elektricky vymazatelné a programovatelné volatilní paměti (EEPROM). Stala se jednou z nejvýznamnějších částí trhu s polovodičovými pamětmi. Výhodou flash pamětí je, že jsou elektricky přepisovatelné jako EEPROM s jedinou tranzistorovou strukturou jako dřívější EPROM. Tato kombinace umožňuje vyrábět flash paměti s vyšší hustotou a s nižšími náklady. Zatímco tržní podíl pamětí flash vzrůstá, technologie paměti flash posouvá své fyzické limity spolehlivosti paměti kvůli škálování a neustálému namáhání. Omezená životnost programu a množství přepisů (mazání) je nejvýznamnějším problémem z hlediska spolehlivosti technologie flash. V této studii je demonstrován a testován mechanismus selhání vyvolaný stresem způsobený konstantním cyklováním programování / mazání. Následně je poskytnuto řešení pro správu dat pro produkty Eaton využívající ASIC2 čip.Flash Memory, a type of electrically erasable and programmable read-only memory (EEPROM), became one of the most significant portions in the semiconductor memory market. Flash memories have the advantage of being electrically erasable like EEPROMs with a single transistor structure like early EPROMs. This combination allows Flash to be manufactured in great densities with lower cost and providing electrically erasable functionality. While the market share of Flash memory rises, Flash memory technology is pushing its physical limits in memory reliability due to scaling and constant stress. Program/Erase endurance is the most prominent issue in terms of reliability in Flash technology. Here in this study, the stress-induced failure mechanism caused by the constant program/erase cycling is demonstrated, tested and a data management solution for Eaton products, which are utilizing ASIC2, is provided.