Prohlížení dle předmětu "FET"

Zobrazují se záznamy 1-3 z 3

    • Inteligentní budič IGBT/FET tranzistorů pro polovodičové invertory 

      Autor: Marek Novotný; Vedoucí práce: Hospodka Jiří; Oponent práce: Janíček Vladimír
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2023-06-12)
      Tato práce se zabývá návrhem highside budiče výkonnových tranzistorů. Budič disponuje galvanickým oddělením s izolační dovedností >1kV, implementací ochran před nadproudem a desaturací a řeší běžné nedosatky komerčních ...

    • Investigation of sub-10nm Cylindrical Surrounding Gate Germanium Nanowire Field Effect Transistor with Different Cross-Section Areas. 

      Autor: Bayani A.; Dideban D.; Voves J.; Moezi N.
      (Academic Press, 2017)
      Germanium nanowires (GeNWs) with different cross-sectional areas are considered as the channel of a cylindrical surrounding gate field effect transistors (CSGFETs) and the electronic properties of them are calculated through ...

    • Nové modely vysokonapěťových křemíkových součástek pro radiové frekvence 

      Autor: Stanislav Banáš; Vedoucí práce: Dobeš Josef; Oponent práce: Biolek Dalibor
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2019-04-06)
      Tato dizertační práce je zaměřena na modelování vysokonapěťových součástek tvořených velmi nízko dotovanými vrstvami. Takovéto součástky se vyznačují vlastnostmi, které ve standardních kompaktních SPICE modelech nejsou ...